Qualcomm 昨天正式宣布:旗下最新处理器 Snapdragon 835 将由 Samsung 代工,并且采用 10nm 纳米 FinFET 制程工艺打造!
Qualcomm 表示:与之前 14nm FinFET 工艺相比,Samsung 的 10nm 可以减少高达30%的芯片尺寸、性能提升27%、功耗降低40%!
也就是说,通过10nm 的工艺加持,Snapdragon 835 处理器将具有更小的芯片尺寸。除了能够节省手机机身内部空间,还可以支持更大的电池,甚至更轻薄的设计。
此外,因制成工艺的提升与更先进的晶片设计相结合,将带来显著电池续航力提升哦!而且 Snapdragon 835 也将搭载最新的 Quick Charge 4.0 快充技术,能够在15 分钟甚至更短的时间内,充入50% 的电量!
Qualcomm 方面指出,Snapdragon 835 目前已经投入生产,预计搭载 Snapdragon 835的商用终端将于2017年上半年出货。但可惜的是,Snapdragon 835 的具体规格并没有公布。
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采用Samsung 10nm FinFET制程!Qualcomm发布Snapdragon 835处理器:充电更快!效能更强!
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