关于SAMSUNG Galaxy S系列十周年旗舰Galaxy S10系列，目前有关它的外形以及大致配置已经逐渐明朗，最新的消息还透露S10系列还有望首发LPDDR5 RAM内存及UFS 3.0闪存。据爆料网站Samsung_News_的消息，SAMSUNG在去年夏季已宣布开发出首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级（10nm~20nm）工艺，单晶片容量8Gb，因此有可能让旗下新旗舰首发最新的内存芯片。

相较于LPDDR4X，，LPDDR5内存芯片除了速度提升外功耗还减少了30%。不过，在去年10月举办的Qualcomm 4G/5G峰会上，SAMSUNG方面的人士透露LPDDR5内存计划2020年商用，因此还有点商榷。不过他当时倒是透露了UFS 3.0闪存将会在2019年上半年商用，而首批产品将涵盖128GB、256GB和512GB三种容量，最大数据传输速率为2000MB/s。此外，从Snapdragon 855公布的参数中也提到了对UFS 3.0的支持也证明今年的旗舰产品将逐渐改用UFS 3.0。

不久前，SAMSUNG官方正式宣布将在本地时间2月21日凌晨3点发布Galaxy S10系列新品。华尔街相关情报还透露，SAMSUNG预计还会在本次发布会上同时展示软硬件完成的折叠屏手机预量产机。