为了满足使用者多样化的需求，智能手机的电池容量越来越大，除了省电能力外，充电速度也是消费者越来越重视的特点。 Qualcomm 今日公布了新一代的的快速充电技术 — Quick Charge 3.0。身为高通快速充电技术的第三代掌门人，Quick Charge 3.0 的充电速度相当给力，这次采用了最佳电压智能协商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法，绝对比之前的两代优秀得多。
不说不知道，INOV是Qualcomm自家开发的全新演算法，其行动装置拥有选择所需功耗的能力，这意味着，可以允许装置在任何時刻获得最佳功耗传输表现，以及维持最大充电效率表现。
Quick Charge 3.0 能在35分钟内将一部手机从零电量充电至80%，相较来说，不具备Quick Charge 技术的装置则需要一个小时半左右，甚至更长。
由此可见，Quick Charge 3.0因为借助了INOV和其他先进的技术，实现了比前一代高出27%的速度提升，同时也采用了更极致的保护电池寿命方法，整体表现将Quick Charge 2.0 远远抛在后头。
除此之外，Quick Charge 3.0 比前一代增强了灵活性，尤其在充电选项方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压， Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。
Quick Charge 3.0 现已正式推出，并将在自家的高通 Snapdragon 处理器芯片中使用，包括 Snapdragon 820、620、618、617和430处理器，粗略估计明年就会上市。这是否意味着传闻將搭载 Snapdragon 820 的小米5， 最快也要在明年才能上市呢?
更多Zing彩：
- 史上最强的高通SNAPDRAGON 820处理器不再发热 效能还提升35%！
- 传高通SNAPDRAGON 820将继续发烧！
- 新一代高通SNAPDRAGON处理器发布 预示着未来的手机会自动学习做出反应
本文：
充电半小时80%？ Quick Charge3.0快充技术hold住全场！
更多精彩科技资讯，请留守 Zing Gadget 或 Facebook 、 Twitter 、Google+ 以及YouTube 。
