高通（Qualcomm）今日在CES 2017大会上公布了了新一代旗舰处理器Snapdragon 835的更多细节，基本规格方面包括：10nm工艺，采用新一代Kryo 280 CPU（四大四小Big.Little八核心设计），Adreno 540 GPU，并首次集成X16 LTE基带，支持Cat.16下行/Cat.13上行。
基本规格方面，Snapdragon 835启用的Kryo 280核心，Big 4+Little 4总计八核心设计。前者主频提升到2.45GHz，二缓2MB，后者提升到1.9GHz，二缓1MB。按照高通的说法，应用载入、网页浏览、VR等会调用大核，另外80%的时间都是小核在工作。
Snapdragon 835搭配了Adreno 540 GPU（支持OpenGL ES 3.2,、完整OpenCL 2.0、Vulkan、DX12）集成X16 LTE基带，支持Cat.16下行/Cat.13上行。但GPU主频未公布，高通称3D渲染比530提升了25%。另外，对比G71，540每时钟处理纹理过滤的效率也提升1倍，达到16texels（三线）。
此外还有，2×2 11ac MU-MIMO；802.11ad Wi-Fi（60GHz）；蓝牙5；Hexagon 682 DSP；双通道LP DDR4x-1866MHz；导航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS；单镜3200万像素、双镜1600万像素，Spectra 180 ISP；支持录制4K 30FPS视频和播放4K 60帧视频（HDR 10）；WCD9341音频解码，32-bit/384kHz
高通此次将精力主要放在10nm加持下Snapdragon 835的功耗表现上，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%（比801降低了50%）
而在续航方面，全新的架构加上三星10nm Finfet工艺，Snapdragon 835较Snapdragon 820有了长足进步。同样在重度使用下，相比Snapdragon 820，Snapdragon 835能够提供额外的2.5小时的使用时间。
此外，Snapdragon 835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4.0，比3.0快了20%，充电5分钟可用5小时，并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。
在首发终端方面，最大的可能是三星Galaxy S8和小米6。如果没有特别大的意外，小米6肯定是中国厂商中Snapdragon 835的首发平台。
据说，小米6是一款被寄予厚望的旗舰机，高通还参与了小米一起研发，不论新的ID还是基于骁龙835上引入的各种新功能，都十分令人向往。
一个有趣的环节是，高通拿出一个有趣的环节是，高通拿出Snapdragon 835芯片和中国的一角硬币、美分以及Snapdragon820对比，对于内部空间寸土寸金的手机来说，封装面积缩小了35%（相较820）的Snapdragon 835将帮助手机做的更薄或者集成更多功能。
