今日，Samsung Electronic宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存，可用于手机、平板等。

相较上一代eUFS 3.0（512GB）闪存产品，新款的写速提升了200%，达到了惊人的1200MB/s，比用于PC的传统SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD存储卡（90MB/s），可谓巨大的升级，可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。其它性能参数还包括，连续读取速度可达2100MB/s，随机读取速度就100K IOPS，随机写入速度70K IOPS。

当然，这批新的eUFS 3.1闪存还有128GB和256GB容量。

另外，Samsung还透露，其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。此前，西部数据、铠侠（原东芝存储）也介绍了UFS 3.1闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。

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