加速生产!台积电3nm芯片晶体管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%,2021年正式量产!

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在先进半导体工艺上,台积电已经一骑绝尘了,其他人望不到尾灯了,今年量产了5nm,明年就轮到3nm了。

在昨天的说法会上,台积电公布了先进工艺的最新进展,5nm工艺已经量产,良率很好,同时还在提升EUV工艺的效率及性能。

5nm工艺今年有华为麒麟9000及苹果A14两个客户,后续还会增加,预计今年贡献8%的收入,明年会增加的双位数以上。

5nm之后还会有4nm工艺,不过4nm只是5nm工艺的改进版,完全兼容,进一步提升性能、能效及密度,2021年Q4季度投产,2022年规模量产。

在之后就是3nm节点了,这将是台积电另外一个长期存在的高性能节点。

与5nm工艺相比,3nm的晶体管密度提升70%,性能提升15%或者功耗降低30%,同时继续使用FinFET工艺,技术成熟度更高。

至于3nm的生产时间,台积电表示会在2021年开始量产,并最终在2022年下半年实现规模量产。

从台积电的表态来看,3nm节点的进展很顺利,量产时间要比之前的传闻还要早一些。

功耗降低30% 台积电3nm快马加鞭:2021年正式量产

 

(本文授权转载自合作伙伴快科技)

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