资本开支创新高!台积电支出200亿美元打造3nm芯片,性能提升15%、功耗降低30%!

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台积电钱

在先进半导体工艺上,台积电已经一骑绝尘了,其他人望不到尾灯了,在2020年量产了5nm后,现在2021年轮到3nm了。根据消息指出,台积电支出了200亿美元,以便打造3nm芯片。

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在2020年的时候,台积电公布了先进工艺的最新进展,5nm工艺已经量产,良率很好,同时还在提升EUV工艺的效率及性能。

5nm之后还会有4nm工艺,不过4nm只是5nm工艺的改进版,完全兼容,进一步提升性能、能效及密度,2021年Q4季度投产,2022年规模量产。

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与5nm工艺相比,3nm的晶体管密度提升70%,性能提升15%或者功耗降低30%,同时继续使用FinFET工艺,技术成熟度更高。

根据消息指出,台积电资本开支将超过200亿美元。资料显示,台积电在2016年资本开支首度突破100亿美元,达到102亿美元。2018年以来,在7nm等高端制程加持下,台积电资本开支连续创下新高,而这一次再因为3nm制程,资本再次突破历史新高。

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