对于现阶段的智能手机用户来说，一天一充在所难免；若是重度用户甚至可能需要一天充电至少两三次。也因如此，各个科技厂商都致力于研发续航能力的提升或是快充的速度，让未来的智能手机可以进入超级电池时代。

而如今，或许续航能力有望再次实现大突破，智能手机或许可用一星期无需充电。

IBM 和 Samsung 在加州举办的 IEDM 2021 国际电子元件会议当中宣布合作， 在半导体设计领域有着重大的发展，可以让晶片垂直重叠。

据悉，该全新的垂直传输场效电晶体（VTFET）的设计是为了取代当前使用于一些先进的 FinFET 技术，允许晶片比现时的晶体管排列得更密集。而从本质而言，新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不像目前大多数晶片使用的横向水平布局。

相较起传统电晶体以水平方式堆叠形式的设计，垂直传输场效电晶体能够增加电晶体的数量，运算速度也可直接提升 2 倍。而且，垂直设计能让电流更易通过，电力耗损可降低 85%。

而且，IBM 和 Samsung 还引用了这项新技术的可用性，像是按照新设计所推算，智能手机充电一次就可使用长达一周。

目前 IBM 以及 Samsung 并未透露何时会将该新技术运用到新设备上，最终详情有待官方公布，我们就期待期待。