单芯片放入1万亿个晶体管!Intel:晶体管密度将在未来8年翻10倍!

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是的,一万亿个晶体管的单芯片要来了。

目前,单个封装可以放入1千亿个晶体管。而Intel决定,把晶体管密度再翻10倍,达到万亿级。

近日,Intel中国研究院院长宋继强在接受采访时称,从2023年到2030年,晶体管密度要在8年时间里翻10倍,即实现2的3次方的提升。

尽管这个目标相当激进,但Intel依然有信心实现。宋继强表示,要达到单个封装中集成一万亿个晶体管的目标,主要是两方面。

一万亿个晶体管的处理器来了!Intel重大决定:管密度再翻10倍 两步实现

一方面,要继续依靠晶体管微缩,例如用厚度仅仅3个原子的超薄2D材料做更高效的GAA的晶体管。

一万亿个晶体管的处理器来了!Intel重大决定:管密度再翻10倍 两步实现

另一方面,还需要依赖3D封装技术,能够进一步提升整个设备中的晶体管总量

按照规划,Intel 4(即7纳米)工艺预计年底就会进入试产阶段,未来将用于第14代的Meteor Lake处理器。

2023下半年,将迈入Intel 3(3纳米)制程技术,预计第一批产品会在2024上半年登场。

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Intel创始人之一戈登·摩尔曾提出摩尔定律,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。

换言之,处理器的性能大约每两年翻一倍,同时价格下降为之前的一半。

近年来,对于“摩尔定律”可行性的争论在半导体业界时有发生,但由此来看,Intel仍是摩尔定律的坚定支持者。

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(本文授权转载自合作伙伴快科技)

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阿六

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