Samsung承认4nm工艺落后2年!望5年内可超越台积电

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Samsung设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung公开承认代工技术落后台积电两年!他解释,Samsung的4nm技术比台积电落后大约两年,而3nm的工艺则落后大约一年左右。

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据韩国媒体Hankyung报导指出,Kye Hyun Kyung在一场演讲会上提出了对Samsung半导体未来发展愿景的演说,并重点点名将在竞争对手台积电,也大胆预测等到2nm发生变化后,可以在五年内超越台积电。

Samsung Chip

但这大胆的想法并不是空穴来风,开端源于Samsung打算将使用 Gate All Around(GAA)技术来制造3nm工艺,而台积电,则是在达到200万产量之前都不会使用GAA技术。

那GAA技术到底是什么呢?其实它是一种生产工艺,可以让Samsung生产出比竞争对手 ——台积电目前所使用的工艺小45%、耗能低50%的芯片。

此外,Samsung在日前也曾指出,4nm的芯片的制作已改善,并且接近5nm的水准了,而下一代的4nm芯片将提供更高更好的良率。

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当然,Kye Hyun Kyung也说,Samsung的储存半导体在开发AI服务器方面变得更加重要,以存储器半导体为中心的超级计算机希望能够在 2028 年面世。

据IT之家报道指出,有业内消息人士透露,美国芯片AMD公司已选择Samsung作为4nm处理器的合作伙伴,而Google公司也将委托Samsung使用第三代4nm工艺生产Pixel 8手机的Tensor 3芯片。

(本篇报道由Amanda编辑撰写)

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ling huii

跌倒就跌倒吧 因为躺着真的很舒服

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