Micron最近宣布，该公司正在SSD当中推出第9代（G9）TLC NAND闪存；它具有业界最高的3.6GB/s的传输速度，以为读写数据提供极高的带宽。
Micron G9 NAND闪存利用业界中最快的NAND I/O速度，来满足以数据为中心的工作负载的高吞吐量需求；而其数据传输速度比目前的所有SSD中的任何NAND闪存快50%。同时，Micron G9 NAND闪存技术还提供了高达99%的写入带宽和88%的读取带宽。这些单芯片优势将为SSD和嵌入式NAND的性能进行提升。
官方指出，和上一代的NAND闪存一样；Micron G9 NAND闪存采用了紧凑的11.5mmx13.5mm进行封装技术。这让其占用空间程度和其他的产品相比，少了28%；而它也是目前最小的高密度NAND，并为用户在各种用例上提供相对应的设计。
新型的NAND闪存可以从个人设备和边缘服务器到企业和云数据中心的AI以及其他数据密集型用例提供一流的性能。对此，Micron的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“Micron G9 NAND闪存比当今市场上的其他技术密度高出了73%；从而能够实现更紧凑、更高效的存储解决方案，以让消费者和企业都受益。”
此外，Micron也在其2650 NVMe SSD集成了G9 TLC NAND闪存，这为日常计算提供了一流的用户体验。官方补充，它也在PCMark® 10测试当中，超越了其竞争对手。
因此，Micron副总裁兼客户端存储总经理Prasad Alluri表示：“Micron 2650 SSD接近PCle Gen 4的理论饱和水平，而使用我们的新G9 NAND闪存后，它突破了TLC客户端SSD可以实现的价值界限。”
他补充，Micron 2650 NVMe SSD在PCMark 10基准测试的得分比其他竞争对手高出38%。另外，Micron 2650NVMe SSD除了具备性能增强的加速缓存，还可更快地实现写入性能，而这也归功于其动态的SLC缓存。
官方指出，Micron 2650 NVMe SSD为PCle Gen4提供了真实的饱和性能，而其顺序读取速度高达7000 MB/s。这与其他竞争对手相比，在顺序读取性能方面提升了70%、顺序写入性能提高了103%、随机读取性能提高了156%以及随机写入性能提高了85%。
最后，G9 NAND技术可用于面向客户端OEM的Micron 2650 SSD；而它也以组件形式和基于消费者的Crucial SSD的形式获得了客户的认证。有兴趣的朋友们，也可以点击Micron G9 NAND和Micron 2650 client SSD查看更多。
