1月31日上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用闪存存储) v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。
由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。
其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。
至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。
至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。
另外，Samsung 已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于Snapdragon 845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。
（本文授权转载自合作伙伴快科技）
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比UFS 2.1性能翻番！UFS 3.0正式发布：2.9GB/s！
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